세계 반도체 6개사, 차세대 D램 공동 개발 합의

삼성전자와 현대전자, 미 인텔과 마이크론, 일본 NEC, 독일 인피니온 등 세계 반도체 주요 6개사는 2003년부터 상용화될 시스템에 적합한 차세대 고성능 고속 D램 반도체를 공동 개발한다고 17일 공식 발표했다.

관련업계에 따르면 반도체 6개사는 현재 상용화된 램버스와 DDR 이후의 1기가급등 차세대 D램 반도체를 공동 개발할 컨소시엄 구성 등을 골자로 한 합의서에 최근 서명했으며 공동 개발될 D램은 PC 등 주요 응용 시스템에 적용된다.

이들 6개사는 현재 세계 시장 점유율이 80%에 이르고 있어 차세대 반도체 공동개발로 향후 이들의 과점 체제는 더욱 공고해질 전망이다.

이들의 공동개발 합의는 급격한 기술 발전으로 인해 D램 기술의 평균 수명 사이클이 5년에서 3년으로 짧아지고 있는 상황에서 각 D램 업체들이 차세대 기술개발을위해 천문학적인 투자비를 내야하는 위험 부담을 덜기 위한 것이다.

이들의 합의 내용은 주요 6개사를 `개발자'로, 추가 참여업체를 `참여사'로 각각 지정해 차세대 D램의 구조, 전기.물리적 설계 및 지원 칩셋, 모듈 기술, 패키지등 관련 기술을 공동 개발한다는 게 주요 골자라고 업계는 설명했다.

대만 업체 등 공동 개발 참여를 희망하는 참여사는 주요 6개사가 합의한 기술로열티 규모 등 일정 조건을 수락해야만 컨소시엄에 들어갈 수 있다.

주요 6개사는 차세대 고성능 D램의 시장 형성을 위해 차세대 D램의 최종 기술정보를 PC 생산업체와 지원 칩셋 생산업체 등 관련 업체에 제공, 관련 업체들이 응용 시스템을 개발할 수 있도록 유도할 계획이다.[서울=연합]