불붙은 반도체 나노 경쟁

해외 반도체 업체들이 미세 공정 제품을 잇따라 발표하며 삼성전자를 압박하고 있다. 반도체 업계에 따르면 미국 인텔과 마이크론의 합작사인 ‘IM플래시테크놀로지(IMFT)’는 이달 초 25나노 8GB(기가바이트) 낸드플래시 제품을 개발해 상반기 중 양산할 계획이다. 이는 세계 메모리 시장 부동의 1위를 지켜온 삼성전자가 2007년 개발한 32나노 낸드플래시 제품을 뛰어넘는 것이다. IMFT는 시제품까지 내놓은 것으로 알려졌다.

일본의 세계 3위 반도체 업체인 엘피다는 지난해 12월 아예 50나노대 공정을 건너 뛰어 40나노대 공정 양산에 들어간다고 발표했다. 나노 경쟁에서 밀리지 않겠다는 승부수다. 나노 공정은 반도체 회로의 선폭이 나노미터(nm)급인 첨단 반도체 제조 공정이다. 1나노m는 10억분의 1m다.

이에 대응해 삼성전자도 올해 메모리 분야 투자 예정액인 5조5000억원의 대부분을 공정 고도화에 투입할 계획이다. 필요에 따라 30나노대 공정을 위해 추가 투자를 하겠다는 뜻도 밝혔다. 삼성전자는 조만간 27나노 낸드플래시 제품을 출시할 계획이다. 하이닉스반도체도 26나노 제품을 준비 중인 것으로 알려졌다. [연합뉴스]