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“메모리 초격차 계속된다” 삼성전자, EUV 적용한 14나노 D램 양산
삼성전자가 EUV 기술과 14나노 공정을 적용해 양산한 DDR5 D램. [사진 삼성전자] 삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최소 선폭의 14나노 D램 양산에 들
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SK하이닉스, 4세대 D램 양산…‘메모리 빅3’ 경쟁 불꽃 튄다
SK하이닉스가 이달 초 양산을 시작한 10나노급 4세대(1a) D램. [사진 SK하이닉스] SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비를 활용한 4세대 D램 양산을 시작했다. 4
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“반도체 혁신 아이템 찾습니다” 삼성전자, C랩 이어 ‘A랩’ 만들었다
삼성전자 ‘혁신적인 반도체 아이디어’ 발굴에 나섰다. 창의적인 조직문화 확산을 위해 2012년 말 도입한 사내 벤처 프로그램인 C랩(Creative Lab)에 이어 반도체(DS)
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삼성 '20나노 D램' 양산, 기술 한계 넘었다
삼성전자가 20나노 D램 양산에 성공하며 반도체 분야의 주도권을 다시 한번 과시했다. 삼성전자는 11일 “세계 최초로 20나노미터(nm) 4기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)
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불붙은 반도체 나노 경쟁
해외 반도체 업체들이 미세 공정 제품을 잇따라 발표하며 삼성전자를 압박하고 있다. 반도체 업계에 따르면 미국 인텔과 마이크론의 합작사인 ‘IM플래시테크놀로지(IMFT)’는 이달 초