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[R&D경영] 지속 투자로 메모리반도체 산업 주도

중앙일보

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07면

SK하이닉스는 끊임없는 기술혁신으로 업계 선두를 지키기 위해 대규모 연구개발 투자를 이어가고 있다. 사진은 SK하이닉스가 본격 양산하는 초고속 HBM2E D램. [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스는 끊임없는 기술혁신으로 업계 선두를 지키기 위해 대규모 연구개발 투자를 이어가고 있다. 사진은 SK하이닉스가 본격 양산하는 초고속 HBM2E D램. [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스는 끊임없는 기술혁신으로 업계 선두 업체로서의 위상을 지켜나가기 위해 대규모 연구개발(R&D)투자를 이어가고 있다.

SK하이닉스

SK하이닉스는 2013년 이후 연구개발비에만 꾸준히 1조원 이상을 투입하고 있다. 2016년에는 사상 처음으로 2조원을 넘기며 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조967억원을 집행하는 등 기술집약적인 산업인 메모리반도체 산업의 주도권을 지켜나가기 위해 전략적인 투자를 이어가고 있다.

지난해에는 사상 최고 금액이었던 3조1890억원을 연구개발비로 투자하며 고객이 요구하는 고품질 고사양의 메모리반도체 개발을 지속하고 있다. 이와 같은 투자를 바탕으로 SK하이닉스는 시장의 흐름에 발맞춰 탄탄한 기술력과 제품 포트폴리오를 갖춰나가고 있다.

D램은 빠르게 증가하고 있는 64GB 이상 고용량 서버 모듈 수요에 적극적으로 대응하고 10나노급 2세대(1y)모바일 D램 판매 확대로 수익성을 개선해나갈 예정이다. 낸드플래시는 96단 제품의 비중 확대와 함께 2분기 중에 128단 제품 양산을 시작한다. 또한 데이터센터향 PCIe SSD를 중심으로 포트폴리오를 다변화해 수익성을 꾸준히 개선해 나가기로 했다. SK하이닉스는 128단 4D낸드와 동일한 플랫폼으로 차세대 176단 4D 낸드 제품도 개발 중이며 기술 우위를 통한 낸드 사업 경쟁력을 지속해서 강화할 계획이다.

SK하이닉스는 D램뿐만 아니라 다양한 응용복합제품 수요에 대응하기 위해 낸드플래시 솔루션 경쟁력도 꾸준히 강화하고 있다.

중앙일보디자인=송덕순 기자 song.deoksoon@joongang.co.kr

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