韓.美.日 초고속반도체 공동개발-삼성전자.美TI.日후지쓰

한국 삼성전자와 미국의 텍사스 인스트루먼트(TI).일본의 후지쓰(富士通)가 정보를 읽고 쓰는 속도가 현재보다 2~5배나 빠른 초고속 반도체를 공동개발하기로 합의했다고 22일 니혼게이자이(日本經濟)신문이 보도했다.
이 컨소시엄에는 이들 3개사 외에 한국의 현대전자와 일본의 미쓰비시(三菱)전기,미국의 마이크로 테크놀로지.애플컴퓨터 등도참여하기로 한 것으로 알려졌다.
이들 업체는 이 메모리 실용화연도를 2000년으로 잡고 이를위해 올해안에 기본설계를 끝낸 뒤 내년중 시제품을 개발할 예정이라고 이 신문은 전했다.
싱크링크라 불리는 새로운 메모리는 컴퓨터의 두뇌인 초소형 연산처리장치(MPU)와의 데이터 전송속도를 1초당 5백~1천메가바이트로 높이는 것을 목표로 하고 있다.
초고속 메모리는 삼성전자-TI-후지쓰의 컨소시엄과 함께 미국의 램버스사도 NEC.도시바 등과 기술협력을 추진하고 있어 현재 용량 위주의 반도체 개발경쟁이 앞으로 속도위주로 바뀔 가능성이 높은 것으로 보인다.
한편 이같은 보도에 대해 삼성전자 반도체지원실의 김상욱(金相旭)기술기획이사는 『초고속 메모리 공동개발을 위해 미.일업체와합의를 한 적이 없다.다만 그런 문제를 다루는 협의회 구성을 위한 사전모임을 가진 것은 사실』이라고 밝혔다.
도쿄=이철호 특파원