갈리움 비소 반도체 일,저온결정에 성공

일본 동북대 「니시자와· 준이찌」(서택윤일)교수가 이끄는 연구팀은 다음세대의반도체로서 각광을 받고있는 갈리움 비소반도체의 결함없는 저온결정에 성공,현재의 컴퓨터 연산영도를 1백배나 늘릴수 있는 초고속소자개발에의 길을 열었다.「니시자와」 교수팀은 갈리움비소반도체를 특정파장의 빛을 적절히 이용하여 갈리음원료가스를 분자층씩 흡착시키는 방법으로 현재 검퓨터의 연산속도는 1백배나 늘릴수있는 초고속작동 정유도형 트랜지스터를 만들수있게되었고 선백50도의 비교적 저온에서도 열에 의한 결정결함없이 갈리움 비소반도체를 결정, 성장시킬수있게 되었다고 말했다.
일본 컴퓨터산업관계자들은「니시자와」 교수팀의 새로운연구결과『5년이내에 전혀 새로운 초고속컴퓨터가 세상에선보이게될것』이라고 전망했다.