30나노 플래시 메모리 세계 첫 개발

삼성종합기술원 김정우 박사 연구팀은 반도체 칩의 선로 폭을 30나노m(1나노는 머리카락 굵기의 1천2백50분의 1) 크기로 대폭 줄인 플래시 메모리의 기본 소자를 개발하는데 성공했다고 13일 발표했다.

지난해 국내에서 상용화한 90나노m 크기의 플래시 메모리와 달리 실리콘 질화막 안에 전하를 안는 구조(SONOS 방식)를 도입, 현 제품보다 10배 이상 용량을 늘릴 수 있다는 설명이다.

이같은 방식에 따라 작동하는 메모리 소자의 개발은 세계에서 처음이다.

심재우 기자