1000배 빠른 차세대 메모리 국내 개발

이상욱 교수(左), 박영우 교수(右)

기존의 플래시 메모리보다 저장과 삭제 속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리 소자를 국내 연구진이 세계 최초로 개발했다.

　건국대는 2일 물리학부 이상욱 교수팀과 서울대 박영우 교수팀이 탄소나노튜브와 마이크로 전기역학 시스템 기반의 저전력-초고속 비휘발성 메모리 소자를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.

이 연구결과는 1일 세계적 과학 저널인 네이처의 자매지 ‘네이처 커뮤니케이션’에 온라인 속보로 게재됐다. 현재 컴퓨터 메모리로 널리 사용되는 플래시 메모리는 쓰고 지우는 속도가 느린 단점을 갖고 있다. 하지만 비휘발성 메모리 소자는 전기역학 소자를 이용해 속도를 최대 수천 배 이상 향상시키고 전력소모도 대폭 낮췄다.

　박 교수는 “이번 연구는 차세대 반도체 메모리에 대한 인식의 지평을 넓히는 차원을 넘어 탄소기반 나노구조가 실리콘 반도체를 실제로 넘어설 수 있는 가능성을 보여줬다”고 말했다.

이 교수는 “새로운 형태의 나노 소자를 개발해 기초 물성 연구뿐 아니라 반도체 분야에 응용할 수 있는 가능성을 함께 탐구하는 후속 연구를 진행 중”이라고 밝혔다. 이 교수팀은 교과부와 한국연구재단이 지원하는 세계수준연구중심대학(WCU)사업에 참여하고 있으며 박 교수팀은 해외우수연구소유치 사업 지원을 받고 있다. [뉴시스]