삼성전자, 60나노 D램 양산 돌입

중앙일보

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경제 01면

삼성전자가 세계 최초로 60나노미터(㎚) 공정을 적용한 D램 양산에 들어갔다. 지난해 3월 80 나노 공정 D램 양산에 들어간 지 1년 만에 두 단계를 뛰어넘은 것이다.

삼성전자는 1일 60 나노 공정의 1기가비트(Gb) D램 칩(사진)과 이 칩을 16개 모은 2기가바이트(GB) D램 모듈 양산에 들어갔다고 밝혔다. 2GB 모듈 하나만 컴퓨터에 꽂으면 윈도 비스타의 권장 메모리를 채울 수 있다. 60 나노 공정을 적용하면 칩 크기가 작아지기 때문에 같은 웨이퍼를 투입했을 때 기존 80 나노보다 생산되는 칩 수가 40% 이상 많다. 60 나노 D램 기술은 삼성전자가 2005년 개발했다. 이 회사는 2000년 150 나노 기술을 개발한 후 지난해 50 나노까지 미세회로 공정 기술을 7년 연속 세계 최초로 선보였다.

삼성전자의 60 나노 공정 도입은 일본과 대만 업체들이 '타도 한국'에 나서는 상황을 감안할 때 더욱 빛을 발할 것으로 전망된다. 지난달 D램 분야 세계 5위인 엘피다(일본)가 7위 파워칩(대만)과 손잡고 1조6000억 엔을 투입한다고 발표했다. 니혼게이자이 신문은 "엘피다가 70 나노 공정에서 삼성전자를 앞섰다"고 보도했다. 삼성전자는 70 나노 공정을 건너뛰고 바로 60 나노에 진입해 추격을 뿌리친 것이다. 삼성전자는 60 나노 D램 시장이 올해 23억 달러를 시작으로 2009년까지 모두 320억 달러에 달할 것으로 전망했다.

김창우 기자

◆나노미터=1㎚는 10억 분의 1m를 말한다. 60 나노는 성인 머리카락 두께의 2000분의 1 수준이다.

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