하이닉스, 20나노급 낸드플래시 개발 … 세계 두 번째 성공

하이닉스반도체가 20나노급 생산공정으로 64Gb(기가비트) 낸드플래시를 개발하는 데 성공했다고 9일 밝혔다. 이번 20나노급 기술 발표는 이달 초 인텔과 마이크론의 합작사인 IM플래시테크놀로지에 이어 세계에서 두 번째다. 1나노m는 10억분의 1m. 나노 공정의 숫자가 작을수록 회로 폭이 줄어 300㎜ 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 생산할 수 있다. 이 회사 연구소장인 박성욱 부사장은 “30나노급 공정보다 생산성이 2배 가까이 높아 업계 최고 수준의 원가경쟁력을 갖추게 됐다”고 말했다.

하이닉스는 지난해 8월 30나노급 낸드플래시를 개발한 지 6개월 만에 20나노급 공정 개발에도 성공했다. 2007년부터 반도체 불황에도 불구하고 매출의 10% 수준을 연구개발에 지속적으로 투자하고, 인텔과 ST마이크로의 합작사인 뉴모닉스와 분업 전략을 통해 나노 공정 미세화 시기를 단축했다.

하이닉스는 20나노급 64Gb 낸드플래시를 올해 3분기부터 양산할 계획이다. 또 올해 낸드플래시 전용라인인 청주공장에 1조원을 투자해 생산능력을 두 배로 늘린다. 64GB(기가바이트) 메모리 시대를 선도하겠다는 전략이다. 64GB는 MP3 음악파일 1만6000곡, DVD 영화 40편, 일간신문 400년치의 정보를 저장할 수 있는 용량.

하이닉스는 통신기술에 적용됐던 노이즈 제거기술을 낸드플래시 반도체 개발에 적용해 공정을 더욱 미세화하는 연구도 추진한다. 노이즈 제거기술은 하나의 셀에 있는 각각의 정보를 물리적으로 분리시켜 셀 간 간섭으로 인해 생기는 데이터 중첩현상을 없애는 기술이다. 박 부사장은 “이 기술을 반도체에 적용하면 낸드플래시 공정 미세화의 한계를 20나노급 이하로 확장해 10나노급 낸드플래시 생산도 가능하다”고 설명했다.

올해 낸드플래시 시장의 주력 제품은 30나노급이고, 내년부터 20나노급이 주력으로 떠오를 전망이다. 지난해 글로벌 시장 점유율은 삼성전자가 39.6%로 1위이고, 일본 도시바(33.9%)와 하이닉스(9.9%)가 뒤를 이었다.

심재우 기자

◆플래시(FLASH) 메모리=MP3플레이어·디지털카메라·휴대전화 등에서 데이터를 저장·삭제하는 반도체. 전원이 꺼져도 기록된 내용이 지워지지 않는 비휘발성 저장장치로 자료 저장이 주용도다. D램은 중앙처리장치(CPU)가 작업을 하기 위해 데이터를 잠시 보관하는 곳으로, 전원을 빼면 그 내용이 사라진다.