하이닉스반도체는 전력소모가 적고 데이터 처리 속도가 빠른 고성능 1기가바이트(GB) 모바일D램을 개발했다고 26일 밝혔다. 54나노 공정으로 만든 이 제품은 동작 전압이 1.2V로 기존 모바일D램보다 낮다. 이에 따라 전력 소모가 기존 모바일D램의 절반, PC용 D램의 3분의 1에 불과하다는 설명.
신제품의 데이터 전송속도는 기존 제품보다 30% 이상 빨라져 1초에 800메가바이트(MB) 용량의 영화 파일을 많으면 대여섯 개까지 처리할 수 있다. 전력소모는 적어 넷북·스마트폰·휴대인터넷기기(MID) 등의 고성능 모바일 기기에 적당하다.
하이닉스는 3분기에 이 제품을 양산할 계획이다. 이 회사는 내년 초 40나노급 모바일D램을 개발해 이 부문 시장 점유율을 30% 이상으로 끌어올리는 것이 목표다. 우선 올해 모바일·그래픽·서버 등 고부가가치 제품 비중을 D램 전체 매출의 50% 이상으로 확대할 계획이다.
김창우 기자
