하이닉스반도체, 1메가 강유전체 메모리 개발

하이닉스반도체는 차세대 기억소자인 Fe램(강유전체 메모리.Ferroelectric RAM)의 1메가 제품 개발에 성공, 메가급 양산시대를 열었다고 3일 발표했다.

Fe램은 전원이 끊겨도 저장한 데이터를 잃지 않는 비휘발성 메모리로, 현재 컴퓨터 및 이동통신 기기 등에 널리 사용중인 D램, S램, 플래시 메모리의 장점을 모두가진 이상적인 기억 소자라고 회사측은 설명했다.

특히 Fe램은 0.35㎛의 미세 가공기술이 적용됐으며, 기존의 비휘발성 기억소자인 플래시메모리보다 동작전압이 낮고 정보기록속도가 1천배이상 빠른 게 특징이다.

이 회사 관계자는 "그동안 Fe램 제품은 신뢰성 확보의 한계로 상용화된 제품이저용량에 그쳤으나 이번 1메가 제품의 개발로 대용량 제품의 상품화 시기를 한단계앞당겼다"며 "차세대 이동통신기기와 스마트카드 등에서 대규모 시장이 형성돼 기존메모리를 대체할 수도 있을 전망"이라고 말했다. (서울=연합뉴스) 정준영기자