[사진] 삼성, 세계 첫 3나노 반도체 출하 … TSMC에 앞섰다

삼성, 세계 첫 3나노 반도체 출하 ... TSMC에 앞섰다

삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 파운드리(반도체 위탁생산) 시설인 V1 라인에서 세계 최초로 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 열었다. 삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초 시작했다. 삼성전자의 3나노 양산은 업계 1위인 대만 TSMC보다 한발 앞선 것으로, 메모리 분야에 이어 파운드리 분야에서도 1위로 도약할 수 있는 발판을 마련하게 됐다는 평가다. 이날 관계자들이 3나노 웨이퍼를 공개하고 있다. [뉴시스]