삼성전자, 90나노 DDR2 D램 양산

삼성전자는 세계 최초로 90나노(1나노는 10억분의 1m) 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR2 D램 양산에 돌입했다고 밝혔다. 90나노 공정은 반도체 웨이퍼(반도체 칩을 만들어내는 재료) 위에 반도체 회로의 선 폭을 90나노의 크기로 그리는 것이다. 90나노 공정은 기존의 0.11㎛(미크론)급 공정에 비해 40% 가량의 생산성 향상을 가져와 원가 경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 미세공정 기술이다.