삼성전자(http://www.sec.co.kr)는 회로선의 폭이 머리카락 굵기의 6백66분의 1에 불과한 0.15미크론 초미세 공정을 적용해 제3세대 2백56메가 램버스 D램을 양산한다고 7일 발표했다. 기존의 주력인 1백28메가 램버스 D램은 연말부터 2백56메가 제품으로 교체해 나갈 계획이다.
회사 관계자는 "3세대 공정을 도입해 웨이퍼당 칩 생산량을 2세대인 0.17미크론 공정보다 30% 이상 늘렸다" 고 말했다.
삼성전자는 연말 0.13미크론 공정을 적용한 4세대 램버스 D램 제품을 양산할 예정이다. 보급형 램버스 D램인 4뱅크 제품도 내년 상반기 출시하기로 했다.
홍승일 기자
