IMT-2000용 전력소자 국산화 성공

현재 전량을 수입해 사용하고 있는 이동통신 단말기의 전력소자에 비해 수명을 100배 이상 향상시킨 신소재 전력소자가 국내 연구진에 의해 개발돼 양산을 앞두고 있다.

대덕밸리 벤처기업인 한마이크로텍(대표 윤태호 www.hanmicro.com)과 카이스트 홍성철 교수팀은 기존 이동통신 단말기의 핵심 부품인 AlGaAs(알루미늄갈륨아사나이드)계열 HBT(이종접합트랜지스터)에 비해 수명을 100배 이상 향상시킨 `InGaP(인듐갈륨포스파이드) HBT 고주파용 전력소자'를 개발, 양산 체제를 구축하는 데 성공했다고 5일 밝혔다.

지금까지 국내에서는 HBT 전력소자를 전량 수입에 의존해 왔으며 최근 미국과 일본 등 선진국에서는 오는 2002년까지 InGaP HBT가 AlGaAs HBT 전력소자의 80% 정도를 대체할 것으로 보고 InGaP HBT 개발 및 양산 시스템 구축을 서두르고 있다.

연구진은 이번에 개발한 제품이 전력소자의 고성능.고집적을 실현, 제품의 크기를 최소화 하고 회로설계의 효율화를 꾀해 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 AlGaAs소자에 비해 수명이 100배 이상 향상돼 장기간 사용시에도 높은 신뢰도를 얻을 수 있다고 설명했다.

또한 1.8㎓, 3.5볼트의 전원에서 1W의 전력을 낼 수 있어 국내 CDMA와 PCS, 유럽의 GSM, 차세대 이동통신인 IMT-2000의 전력 증폭기 소자로 사용이 가능하다고 덧붙였다.

연구진은 특히 InGaP HBT가 현재 미국과 일본의 몇몇 회사에서 최근 샘플을 제조하고 있는 단계여서 IMT-2000 뿐만 아니라 블루투스, 무선랜, 홈RF, ITS단말기, WLL, 4세대단말기 시장도 선점할 수 있게 됐다고 강조했다.

홍 교수는 '기존 AlGaAs 계열 전력소자는 수명이 짧고 회로 처리가 복잡해 불필요한 비용이 추가로 발생되는 단점이 있었다'며 '국내에서 먼저 InGap HBT의 개발에 성공하고 자체 공정기술을 확보함에 따라 그동안의 기술종속 현상을 없애고 세계 유수 기업에 비해 경쟁력을 갖출 수 있게 됐다'고 말했다.

한편 현재 고주파(RF)반도체 시장은 세계적으로 매년 35%의 고속 성장이 계속돼 2002년에는 약 7조원에 이를 것으로 보이고 있으며 이 가운데 통신기기에 사용되는 HBT 전력소자는 약 1조6천억, 국내 시장은 약 4천800억원 정도로 예상되고 있다.(대전=연합뉴스) 김길원기자