삼성전자의 '3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’
삼성전자가 세계 최초로 '3세대 10나노급(1z) D램’을 개발했다. 삼성전자는 21일 "3세대 10나노급 D램(8Gb DDR4)을 개발해 글로벌 중앙처리장치(CPU) 업체의 승인을 완료했다"며 "2세대 10나노급 D램을 양산한 지16개월 만에다시 한번 미세공정의 한계를 극복했다"고 밝혔다.
3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 EUV(극자외선) 장비를 사용하지 않고도, 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 또 속도 증가로 전력효율 역시 개선했다는 게 삼성전자의 설명이다. 이는 D램 크기가 더 작아져 삼성전자는 웨이퍼 한 개에서 기존보다 칩을 20%가량 더 생산할 수 있고, 소비자 입장에서는 PC 속도가 빨라지고 전력 사용량을 줄일 수 있게 됐다는 의미다.
DDR4는 D램의 동작 속도를 규정하는 반도체의 규격이다. 데이터를 읽고 쓰는 속도에 따라 DDR 1, 2, 3, 4, 5로 구분한다. 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도가 기존 대비 2배씩 빨라진다. 주로 PC 서버 등에 사용되고, 스마트폰 등 모바일 기기에는 저소비전력의 D램인 LPDDR(Low Power Double Data Rate)이 탑재된다. 삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산할 방침이다. 또 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 공급한다는 계획이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM 개발실 부사장은 "미세공정 한계를 극복한 D램 기술 개발로 초고속·초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "2020년쯤부터는 프리미엄 D램의 안정적 양산 체제를 구축해 경쟁사와 초격차를 더 강화하겠다"고 말했다.
장정훈 기자 cchoon@joongang.co.kr
