삼성전자, 4년 연속 최다 논문

중앙일보

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삼성전자가 반도체 관련 세계 3대 학회의 하나인 VLSI에 4년 연속 가장 많은 논문을 발표했다.

이 회사는 17일까지 미 하와이에서 열린 '2006 VLSI 심포지엄'에서 19편의 논문이 채택돼 미국의 IBM(18편)과 인텔(8편)을 제쳤다고 19일 밝혔다.

특히 25 나노 기술을 적용한 3차원 메모리 트랜지스터인 MBCFET 관련 논문은 최우수작으로 선정돼 개막식에 이어 가장 먼저 발표하는 영예를 안았다. 저작자인 김민상 선임(사진)은 2000년 고려대를 졸업하고 삼성전자에 입사한 대리급 신진 연구원이어서 관심을 모았다.

한편 삼성전자는 지금까지 한계로 여겨져 온 40 나노 이하 메모리 미세공정 기술을 실현하는 신소자 기술을 개발했다. 오창우 책임의 '소노스'논문과 이창현 책임의 '타노스' 논문을 통해 삼성전자는 '황의 법칙'을 이어나갈 발판을 마련했다는 것이다. '황의 법칙'은 삼성전자의 황창규 반도체 총괄 사장이 주창한 메모리 신성장론이다. 해마다 반도체의 집적도가 두 배로 증가한다는 것으로 지난해 50 나노 공정을 적용한 16 기가비트 플래시메모리를 선보이며 6년 연속 이를 실증해 보였다. 이번 논문은 40 나노의 벽을 넘어 테라(1000 기가) 시대를 예고했다는 평가를 받았다.

1981년 창설된 VLSI는 IEDM.ISSCC와 함께 세계 3대 반도체 학회로 꼽힌다. 매년 6월 열리는 심포지엄은 한해의 최우수 실용 논문들이 경합하는 반도체 업계의 월드컵이다. 회사 내에서는 "최우수 논문과 최다 논문을 휩쓴 건 한국 축구 대표팀이 월드컵에서 우승하는 정도의 쾌거"라는 자평도 나왔다. 이 회사 최정달 상무는 "반도체 개발의 향후 3대 과제인 초미세화.대용량화.고성능화에 대한 해법을 하나하나 제시하겠다"고 말했다.

김창우 기자