또 한발 앞서가는 삼성 반도체…적층 수 두배 늘린 '1테라바이트 낸드' 세계 최초 공개

중앙일보

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박태희 기자

삼성전자가 세계 최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품군을 공개했다.

삼성전자는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 3차원 셀(cell)의 용량을 기존 512기가비트(Gb)보다 2배 늘린 1테라비트(Tb) 낸드를 공개했다.

낸드플래시 반도체는 데이터를 저장하는 셀을 3차원 공간에 수직으로 쌓아서 하나의 칩을 만든다. 삼성전자는 현재 64단까지 셀을 쌓아서 하나의 칩을 만드는 기술을 보유하고 있다. 이렇게 만들어진 칩을 8단으로 쌓아 패키지를 만들면 1테라바이트(TB) 용량을 구현할 수 있다. 기존 최대 용량(512Gb)보다 용량이 2배나 늘어난 제품이다.

이 제품을 적용하면 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 삼성전자 측은 "1Tb V낸드가 적용된 최대 용량 SSD를 내년 본격 출시할 계획"이라고 밝혔다.

삼성전자가 8일(현지시간) 미국에서 공개한 새로운 규격의 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘NGSFF SSD’. 옆의 주화는 크기 비교 용. [사진 삼성전자]

삼성전자는 이날 적층 기술 외에 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화할 수 있는 기술(NGSFF SSD)도 선보였다. 신규 SSD 규격인 NGSFF SSD를 활용하면 같은 공간에서 저장 용량을 4배까지 늘릴 수 있다. 삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산해 데이터센터 등 다양한 서버 고객을 유치한다는 계획이다.

삼성전자는 이날 성능을 극대화한 하이엔드 SSD 제품 'Z-SSD'도 공개했다. 기존 제품 대비 응답 속도가 7배 빠르고, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 속도를 구현할 수 있는 제품이다.

진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다.

미국에서 매년 열리는 플래시 메모리 서밋은 세계 최대 플래시 메모리 업계 행사다. 올해는 8일부터 10일까지 사흘 동안 진행된다.

박태희 기자 adonis55@joongang.co.kr