삼성전자가 세계 처음으로 90나노 공정을 적용한 모바일 D램의 양산에 들어갔다고 10일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 현재 양산하는 D램 제품군에 90나노 공정을 모두 적용하게 됐다. 기존 110나노 공정보다 선로 폭을 더 가늘게 만들 수 있게 됨에 따라 40%의 생산성 향상을 꾀할 수 있다고 회사측은 설명했다. 같은 재료(웨이퍼)에서 보다 많은 칩을 생산할 수 있게 됐다는 것이다.
이번에 양산하는 90나노 공정의 512메가비트(Mb) 모바일 D램은 초당 1.3기가바이트(GB)의 데이터를 처리 할수 있다.모바일 D램 가운데서 가장 빠르고 용량이 가장 크다. 3세대 휴대전화를 겨냥한 제품이다. 고화질 3차원 그래픽과 500만 화소 이상 디지털카메라 등을 제대로 활용하려면 초당 1GB 이상의 데이터 처리 속도와 512Mb 이상의 대용량이 필수적이라는 것이 삼성전자의 설명이다.
삼성전자는 2003년 세계 최초로 90나노 공정의 낸드플래시 양산에 성공해 '반도체 나노시대'를 연 데 이어 지난 9월에는 50나노 플래시메모리 공정, 지난달에는 70나노 D램 공정 개발에도 성공하면서 메모리 반도체 공정기술을 이끌고 있다.
시장조사기관인 데이터퀘스트는 모바일 D램의 최대 수요처인 3세대 휴대전화 시장이 2010년까지 연평균 31.5% 성장함에 따라 모바일 D램 시장도 연평균 125%의 성장세를 보일 것으로 전망하고 있다.
김창우 기자
