차세대 메모리반도체 F램용 박막 개발

백50억번 이상 반복해 사용하고,전원이 끊어져도 기록된 정보가 날라가지 않는 등 획기적인 기능을 가진 메모리 반도체용 소자가 개발됐다.

포항공대(http://www.postech.ac.kr) 신소재공학과 장현명(張鉉明)교수팀은 차세대 반도체로 주목받는 F램의 결함을 해결하는 정보 기록용 신물질 박막을 개발했다고 13일 발표했다.

F램은 D램과는 달리 한번 기록된 정보는 전원이 없어도 날라가지 않으며,속도도 D램이나 플래시 메모리보다 1천배 이상 빠르다.그러나 어느 정도 반복 사용하면 정보 저장용 박막이 정보 보존능력을 거의 잃어 버려 본격적인 상용화가 이뤄지지 않았다.

장교수는 “신물질 박막은 납과 티타늄 산화물을 펄스레이저 증착법 등으로 만들었으며,이것으로 F램을 개발하면 거의 무제한 반복 사용해도 기록된 정보가 손실되지 않는다”고 말했다.D램 공정을 그대로 사용할 수 있어 경제성도 뛰어나다는 것.

장교수는 현재 이 기술로 1백28메가비트 F램을 개발하고 있으며,내년이면 2백56메가비트에도 적용할 수 있을 것으로 내다봤다.현재 시판 중인 D램의 최대 정보저장 용량은 2백56메가비트이다.

연구 결과는 세계적인 물리학 학술지 ‘어플라이드 피직스 레터’ 13일자에 발표 됐다.

박방주 기자