삼성, 0.10미크론 장벽넘을 광저항 기술 개발

삼성은 193-나노미터(-nanometer)ArF(argon fluoride lithography) 석판인쇄를 위한 새로운 광저항 (photoresistance) 기술을 개발하였으며 이는 0.10-미크론 이하 공정이라고 전하고 있다.

한국 DRAM 메이커인 삼성측은 ArF용 제조 기술과 툴을 개발해 왔으며 이 기술은 높은 선명도와 에칭 저항에 필요한 사항을 동시에 만족시켜 주고 있다고 전하고 있다. 삼성측에 따르면 이 기술은 deep-submicron ICs을 제조할 때 회로 형태를 변경해야 하는 Post Exposure Delay(PED) 특허를 능가한다고 한다.

ArF 는 1GB 이상의 메모리를 탑재한 사업용 기기에서 미세한 회로를 제작할 때 쓰이는 하나의 경량 소스이다. 삼성측에 따르면, 새로운 ArF 광저항 기술은 이러한 기기의 생산에 사용되는 ArF 레이저 툴 생산에 엔진을 걸 수 있을 것이라고 한다.

삼성은 최초로 0.10 미크론 장벽을 무너뜨렸다고 주장하고 있으며 이 기술로 인해 곧 시장의 주류를 이루게 될 제품이 1GB 이상의 메모리를 탑재하게 될 것이라고 기대하고 있다.

삼성은 이미 미국, 일본, 대만을 포함하는 9개국에 새로운 광저항 기술에 대한 특허 신청을 하였다고 하며 앞으로 10여년간 이 기술에 대해 6백만불에 이르는 로열티를 받을 수 있을 것으로 기대하고 있다고 한다.