삼성전자,차세대반도체 웨이퍼 기술 개발

삼성전자가 차세대 반도체 웨이퍼 기술을 개발해 원가절감은 물론 수율 (收率) 을 향상시켜 이 분야에서 경쟁력을 크게 강화할 수 있게 됐다.

삼성전자는 19일 반도체 제조과정에서 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 차세대 반도체 웨이퍼 가공기술인 원자층 증착기술을 개발했다고 발표했다.

삼성이 개발한 원자층 증착기술은 반도체 웨이퍼 가공공정중 데이터 저장공정에 적용하는 기술로 미국.일본업체가 개발하고 있는 탄탈륨산화막 기술보다 얇게 반도체에 보호막을 씌울 수 있어 경쟁력과 수율에서 앞선다.

삼성관계자는 "원자층 증착기술을 확보함으로써 기가급 반도체는 물론 초고속 데이터처리가 요구되는 중앙처리장치 (CPU) 나 복합칩 (MDL).F램 등 차세대 반도체제품에서 기술적 우위를 확보하게 됐다" 고 말했다.

또 이 방식을 사용하면 기존 반도체 제조공정에서 일부를 생략해 시설투자과정에서 4천만달러 이상을 절약할 수 있고 제조비용도 30% 이상 줄일 수 있다는 것. 한편 삼성전자는 관련 기술특허 10여건을 해외에 출원했다.

이민호 기자