[니혼게이자이신문 = 본사특약]미쓰비시전자는 1일 차세대 메모리 반도체인 Fe램 반도체의 핵심기술을 개발, 미국에서 특허를 출원했다고 발표했다.
미쓰비시가 특허출원한 기술은 Fe램 반도체의 회로구조에 관련된 핵심기술 10여가지로 비슷한 기술을 개발중인 세계 각국의 반도체업체들이 큰 타격을 입을 것으로 전망된다.
현재 NEC.도시바.히타치.지멘스등 세계 유력 반도체업체들이 사운을 걸고 Fe램 기술을 개발중이다.
업계 전문가들은 이때문에 세계 반도체업체들이 미쓰비시의 특허획득에 앞서 Fe램 기술개발을 완료하기 위해 공동전선을 펼 가능성이 있다고 전망했다.
한편 Fe램은 램 (RAM) 반도체의 빠른 데이터 처리능력과 롬 (ROM) 반도체의 전원차단시 데이터보전능력을 고루 갖춘 메모리반도체로 오는 2010년 3조원의 시장을 형성할 것으로 추산되고 있다.
