국내 최고 「임계전류밀도」고온초전도체 제조성공

국내에서 임계전류밀도가 가장 높은 고온 초전도체가 개발됨으로써 초전도체의 실용화가 한걸음 앞당겨지게 됐다.
삼성종합기술원 (대표 강진구) 소재부품연구소 윤석렬 박사(38)팀은 최근 절대온도 77도에서 임계전류밀도가 2만2천암페어인 고온초전도체를 제조하는데 성공했다고 밝혔다.
임계전류밀도란 초전도체 1평방㎝당 흘릴 수 있는 전류의 최대값을 말하는 것으로 이를 얼마나 높일 수 있느냐가 실용화의 관건으로서 고온초전도체 연구의 초점이 되고 있다.
지금까지 국내에서 발표된 최고치는 한국전기연구소팀의 3천암페어로 임계전류밀도가 최소한 10만암페어를 넘어야 초전도체의 실용화가 가능한 것으로 알려져 있다.
이번에 개발된 초전도체는 이트륨계열의 산화물 초전도체로 임계전류밀도를 높이기위해 부분용융법을 채택했다.
이는 초전도체 시편을 순간적으로 용융시켜 결정립 틈새의 기공을 메워 조직을 치밀하게 하고 열처리 공정을 변화시켜 결정립을 전기전도에 유리하도록 단일 방향으로 배열시키는 매우 어려운 기술이라는 것.
따라서 초전도체가 자석위에서 뜨는 마이스네효과 뿐아니라 자석밑에서 공중에 뜨는 서스펜션현상도 함께 보여주고 있는데 마이스너효과는 자기 부상열 차에, 서스펜션효과는 우주선의 베어링에 응용된다.

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