SK하이닉스, 3세대 10나노급 16Gb D램 개발

중앙일보

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장정훈 기자

SK하이닉스가 개발한 3세대(1z) 10나노급 16Gb DDR4 램 [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16Gb(기가바이트) D램을 개발했다. SK하이닉스는 21일 "3세대 D램 중 업계 최고 수준의 용량과 속도를 갖춘 16G DDR4 D램을 개발했다"며 "올해 안에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격적으로 시장에 출하할 계획"이라고 밝혔다.

D램은 PC나 IT기기에서 정보를 빠르게 전달하고 처리하는 기능을 담당한다. 2001년 출시된 DDR 램은 200~400Mbps의 전송 속도를, 용량은 64Mb~1Gb를 지원했다. DDR 뒤에 붙은 숫자가 높아질 때마다 동작 속도가 2배씩 증가한다. DDR2는 DDR보다 처리 속도가 2배, DDR4는 8배 정도 빠르다. D램은 속도와 용량이 늘어날수록 전기 신호를 전달하는 회로의 폭은 더 좁아져야 한다. 10나노는 이 회로의 폭(선폭)을 1억 분의 1m인 10㎚대로 그려낼 수 있는 공정이다. 공정 단계별로 1x, 1y, 1z로 구분하고, x에서 z로 갈수록 공정이 미세해진다. 1z는 10나노 영역 내에서도 현재 가장 미세한 3세대 수준에 진입했다는 의미다.

SK하이닉스가 개발한 DDR4 RAM의 데이터 전송속도는 최고 속도인 3200Mbps까지 지원하고 전력 효율을 대폭 끌어올렸다. 또 초고가인 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 미세 회로를 그릴 수 있어 원가 경쟁력을 갖췄다. 그 결과 10나노급 2세대(1y) 제품보다 생산성은 약 27% 향상되고, 전력 소비는 약 40% 줄였다는 게 SK하이닉스의 설명이다. SK하이닉스의 이정훈 D램 개발사업 1z TF 장은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 고성능·고용량 D램을 찾는 고객한테 가장 적합한 제품"이라고 말했다.

한편, 삼성전자는 올해 3월 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발해 하반기부터 양산하겠다는 계획을, 미국 마이크론은 지난 8월 16Gb DDR4 D램을 대량 양산한다고 발표한 바 있다.

장정훈 기자 cchoon@joongang.co.kr