삼성전자, 576메가 램버스 D램 개발

삼성전자는 세계 최초로 576메가 램버스 D램의 개발에 성공, 내년 2.4분기부터 양산할 예정이라고 27일 발표했다.

삼성전자는 이 제품에 회로선폭 0.12㎛(미크론: 1㎜의 1/1000)의 미세공정기술과 `4 Bank 구조'를 적용, 지금까지 최고수준인 0.15 미크론, 32 Bank 구조, 256메가 램버스 D램에 비해 원가경쟁력을 크게 높이고 칩사이즈도 줄였다고 밝혔다.

이번에 개발된 제품은 576메가의 대용량으로 1066㎒의 동작속도를 갖춰 초고속.대용량 메모리를 필요로 하는 고성능컴퓨터, 워크스테이션, 대형서버, 게임기, 셋톱박스 등에 주로 사용될 예정이다.

또한 일반 PC에 사용되는 PC133 SD램 보다는 8배, DDR266 제품보다는 4배나 동작속도가 빨라 대용량 데이터를 고속처리하는 동영상 및 그래픽처리에 적합하다.

삼성전자는 이번에 개발된 0.12미크론 공정기술을 현재 0.15미크론 공정인 256메가 및 128메가 램버스 D램에 적용할 경우 웨이퍼당 칩 개수가 약 47% 증가해 생산성이 대폭 향상된다고 설명했다.

삼성전자는 올 상반기에 세계 램버스 D램 시장의 60%를 점유했으며 이번 제품개발로 램버스D램, DDR, SD램 등 D램 전제품에서 0.12미크론 이하 공정기술을 적용한 최첨단 제품군을 확보, 경쟁사와의 기술격차를 더욱 확대해 나갈 계획이다.

삼성전자는 이 제품을 인텔사의 4뱅크 램버스 D램 지원용 칩셋 출시시기인 내년2.4분기부터 양산할 계획이며 내년에 10억달러, 2003년에 25억달러의 램버스D램 매출을 목표로 하고 있다. , 삼성전자는 "업계 처음으로 576메가 램버스 D램 개발에 성공함으로써 차세대 램버스 D램 시장에서의 지위가 더욱 강화될 전망"이라고 밝혔다.

한편 램버스 D램의 가격은 전세계적인 반도체 불황에도 불구하고 현물시장에서 수요처 확대로 지난 8월말 모듈 1개당 34달러에서 최근 47달러로 38% 가량 상승했다.(서울=연합뉴스) 김현준기자