<중앙특허기술상>7월賞-삼성전자 메모리설계팀

국내의 특허.실용신안기술등을 발굴,포상함으로써 과학기술 수준을 향상시키고자 제정된「中央특허기술상」7월 수상작에 삼성전자 반도체사업부 메모리 설계팀의「내부전원 전압발생회로」가 선정됐다. 〈관계기사 33面〉 특허청과 中央日報는 25일 오전 특허청대회의실에서 安光구특허청장.申天均 中央日報 섹션1담당국장.金洪斗한국발명특허협회부회장등 관계인사가 참석한 가운데 시상식을 갖고 수상작 개발팀의 삼성전자 陳大濟전무,반도체 메모리설계팀 全峻永선임 연구원에게 상장.부상을 수여했다.
수상작인 「내부전원 전압발생회로」는 반도체내의 온도가 높아질수록 반도체내 전자의 흐름이 무뎌져 반도체의 처리속도가 늦어지는 단점을 해결하기위해 온도 상승폭에 따라 전압도 함께 높아지도록 함으로써 처리속도가 일정하고 빠른 속도를 갖 도록 한 것이 특징이다.
이 특허는 91년 최초 개발과 함께 출원돼 최근 국내및 美國에서 특허등록을 마쳤으며 일본.영국.독일.프랑스등 8개국에도 특허가 출원돼 있는 상태다.이 기술의 개발로 인해 삼성전자가 생산중인 4메가.16메가D램 반도체가 외국의 同種 제품에 비해데이터 처리속도가 20%정도 더 빨라지게 돼 제품의 경쟁력이 한층 높아지게 됐다.
특허청과 中央經濟가 공동 제정한 이 상은 지난달까지「中經특허기술상」으로 시상해 왔으나 中央經濟가 中央日報에 흡수통합됨에 따라 이달부터「中央특허기술상」으로 상의 명칭이 변경됐다.
〈李孝浚기자〉