60나노급 2기가비트 D램 세계 첫 개발

삼성전자는 60나노 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR2 D램(사진) 개발에 세계 최초로 성공했다고 12일 밝혔다. 연말부터 양산에 들어간다. 512메가비트(Mb) 제품에 이어 3월 60나노급 1Gb 칩 양산에 들어간 이 회사는 이번 2Gb 개발로 D램 전 제품에 대해 60나노 공정 전환작업을 마무리한 유일한 업체가 된다. 삼성전자는 D램 분야에서 지난해 50나노 제품 개발에 성공했다. 올해는 40나노 기술에 도전하고 있다.

　60나노 D램은 기존 80나노 제품보다 회로 폭과 칩 크기가 작아져 40% 정도 생산성이 높다. 전준영 상무는 “30% 이상 전력 소모가 줄어 들어 그만큼 발열이 덜 된다”고 설명했다. 서버나 워크스테이션 등에서 기존에 1Gb D램 36개로 구성된 4기가바이트(GB) D램 모듈을 2Gb 칩 18개로 대체할 수 있기 때문이라는 것이다. 미국의 반도체 분야 시장 조사업체인 가트너 데이터퀘스트에 따르면 올해부터 판매된 2Gb D램은 2011년에는 전체 D램 시장의 47%인 140억 달러 규모로 성장할 전망이다.

김창우 기자