삼성전자가 미국 텍사스 오스틴 반도체공장(SAS)에 2005년까지 5억달러를 투자한다. 5억달러의 투자액 가운데 4억달러 이상이 설비 업그레이드에, 나머지는 설비 확장에 사용된다.
이번 투자는 삼성전자가 오스틴 공장에 나노 기술 공정을 도입하기 위한 '나노테크 3개년 투자 계획'에 따른 것으로 1단계 투자액은 1억2천7백만달러다.
삼성은 연내 1단계 투자가 마무리되면 오스틴 공장의 생산 공정은 현 0.13미크론(미크론=1백만분의 1m)에서 0.11미크론 급으로 향상되고, 2005년에는 나노 기술이 적용된 최첨단 반도체 공장이 된다고 밝혔다.
반도체 분야에서 나노 기술은 0.1미크론에 해당하는 1백 나노m 이하 크기의 반도체 소자를 생산할 수 있는 기술을 의미한다.
삼성 관계자는 "투자가 완료되는 2005년에는 웨이퍼당 칩수를 기존 공정 대비 40% 늘릴 수 있어 비용을 대폭 줄일 수 있다"고 말했다.
또 고성능 서버 및 워크스테이션에 장착되는 1기가 D램 제품 등을 생산할 수 있고, 웨이퍼 생산량도 월 3만장에서 4만5천장으로 늘어난다고 덧붙였다.
오스틴공장은 삼성이 1998년 2월 설립한 한국의 첫 해외 반도체 생산기지로 설립 다음해인 99년 7억달러의 매출과 1억6천만달러의 경상이익을 달성했었다.
한편 삼성전자는 지난 2일(현지시간) 오스틴 공장에서 이윤우 삼성전자 반도체총괄 사장과 조지 부시 전 대통령, 릭 페리 텍사스 주지사 등 정.재계 인사 2백여명이 참석한 가운데 투자 기념행사를 가졌다.
이윤우 사장은 이날 인사말에서 "이번 투자계획은 반도체 경기가 2005년에 회복세를 나타낼 것에 대비하기 위한 전략"이라고 말했다.
표재용 기자
<사진설명>
조지 부시 전 미국 대통령과 삼성전자 이윤우 사장, 이승환 오스틴법인장(왼쪽부터)이 2일(현지시간) 삼성 오스틴반도체법인 투자 기념식에 참석하기 위해 행사장에 입장하고 있다.
