반도체업계 强誘電體薄膜 개발 경쟁

삼성전자.현대전자.LG반도체등 반도체 3사가 강유전체(强誘電體)박막(薄膜)기술 개발에 경쟁적으로 나서고 있다.
이 기술개발 없이는 256메가D램 이상의 집적도(集積度)를 갖는 반도체 양산이 불가능하기 때문이다.
D램 반도체는 트랜지스터와 콘덴서(축전기)로 이뤄진 셀(Cell)을 초소형으로 만들어 집적시킨 것.예를 들어 1메가D램에는 100만개의 셀이 집적된다.집적도가 높아질수록 트랜지스터와콘덴서의 크기를 더 줄여야 한다.트랜지스터는 현 재 사용중인 기술을 이용해 256메가D램 양산에 필요한 크기만큼 작게 만드는 것이 가능하지만 콘덴서는 새로운 기술이 필요한 상황이다.현재 사용중인 유전체의 유전율은 5정도.이제까지는 이 유전체를 사용해 전극판 사이의 거리를 줄이는 것과 함께 전극판 표면적을넓히는 방식으로 원하는 축전용량을 얻어 왔다.현재 개발이 완료된 256메가D램까지는 이런 식으로 콘덴서를 소형화시킨 것이다.하지만 256메가D램 양산에 현재 개발된 방식을 그대로 사용하긴 힘들다는 것이 업 계의 의견이다.생산공정이 너무 복잡해 생산비용이 많이 들 뿐만 아니라 불량률이 높아져 양산이 불가능하다는 얘기다.더욱이 1기가D램은 강유전체를 사용하지 않고선 아예 개발조차 불가능할 것으로 전망된다.
현대전자 반도체연구소의 김종철(金鍾哲)책임연구원은 『3~4년내에 강유전체 박막 기술을 개발하지 못하면 반도체 집적 경쟁에서 뒤지게 되므로 이 부문이 앞으로 경쟁력의 중요한 관건이 될것』이라고 전망했다.