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삼성전자 '20나노 모바일 D램 시대' 열었다

중앙일보

입력

삼성전자가 컴퓨터에 이어 모바일에서도 20나노 D램 시대를 열었다.

삼성전자는 18일 세계 최초로 20나노 공정을 적용한 6기가비트(Gb) 모바일 D램을 양산하기 시작했다고 밝혔다. 지난 3월 업계 최초로 컴퓨터용 20나노 4기가비트 DDR3 D램을 양산한 데 이어 모바일 D램까지 20나노 제품을 양산하는데 성공했다.

20나노 모바일 D램은 기존 제품보다 생산성이 30% 이상 높아 스마트폰과 태블릿, 웨어러블(착용 가능한) 기기 등 빠르게 증가하고 있는 고성능 모바일 기기 시장을 선점하는데 유리한 고지에 서게 됐다. 20나노 6기가비트 LPDDR3 모바일 D램은 초소형 칩으로 더욱 작고 얇은 패키지를 가졌다. 이에 따라 업계 최고 수준의 ‘초박형·초소형·초고속’ 3기가바이트(GB) 솔루션을 제공한다. 3기가바이트(GB) 제품은 6기가비트 모바일 D랩 칩 4개를 하나의 패키지에 쌓아올린 것으로, 스마트폰의 두뇌에 해당하는 애플리케이션 프로세서(AP)와 함께 패키지온패키지(POP·패키지 위에 패키지를 얹는 기술) 형태로 주로 고사양 스마트폰에 탑재된다. 이달말 출시될 삼성전자 ‘갤럭시 노트4’에도 적용될 예정이다. 3기가바이트 솔루션은 인터페이스 최고 속도인 초당 2133메가비트의 데이터 전송 속도에 한층 낮아진 소비전력을 자랑하는데 지난해 11월 삼성전자가 업계 최초로 양산하기 시작했다.

삼성전자 메모리사업부 마케팅팀장 백지호 상무는 “이번 20나노 모바일 D램은 시장 비중이 더욱 확대되고 있는 고성능 모바일 D램 시장을 선도해 나갈 가장 앞선 제품”이라며 “향후에도 프리미엄 시장은 물론 보급형 모바일 시장까지 적용할 수 있는 차세대 솔루션을 선행 출시해 사업 위상을 지속적으로 높여 나갈 것”이라고 강조했다.

삼성전자는 20나노 모바일 D램 라인업(8기가·6기가·4기가)을 연이어 출시해 프리미엄 대용량 모바일 D램 시장을 계속해서 선점해 나간다는 전략이다.

이소아 기자 lsa@joongang.co.kr

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