현대전자는 업계처음으로 차세대 반도체소자인 실리콘 2중막 웨이퍼(SOI)를 이용한 64메가 D램 시제품 개발에 성공했다고18일 발표했다.SOI는 약 4천Å(옹스트롬;1Å은 10억분의1)두께의 실리콘 절연막 위에 다시 1천~2천Å 의 실리콘 박막 웨이퍼를 사용해 보다 간단한 구조의 고집적 메모리제품을 개발할 수 있게 해주는 기술이다.
<뉴스다이제스트>현대전자,SOI이용 64MD램 개발
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