대우전자는 국내 처음으로 차세대 무선통신 전용반도체인 70GHz급 실리콘 게르마늄(SiGe HBT) 반도체 개발에 성공, 내년 6월부터 양산에 들어간다고 25일 밝혔다.
대우전자 반도체 사업부가 ㈜ 에이에스비(대표 염병렬)와 공동 개발한 실리콘게르마늄 반도체는 현재 1GHz 이상의 무선통신용으로 사용되고 있는 갈륨비소(GaAs)반도체 보다 열전도율이 3배 이상, 출력효율은 10배정도 우수하면서도 기존 공정으로 생산하기 때문에 제조단가를 40%이상 낮출 수 있는 점이 특징이다.
대우전자는 실리콘 게르마늄 반도체 기술 개발을 토대로 연말까지 무선통신 기지국 및 중계기에 사용되는 고주파용 파워트랜지스터를 개발, 6개월간의 신뢰성 평가를 거쳐 내년 6월부터 월 10만개규모로 양산할 예정이다.
이와 함께 대우전자는 내년 하반기까지 개인휴대통신(PCS), 유럽형 이동통신시스템(GSM), IMT-2000 등 차세대 무선통신용 고주파IC 개발을 완료, 양산에 들어갈 계획이다.
이를 위해 회사는 2001년까지 총 150억원을 투자하기로 했다고 밝혔다.
대우전자는 고주파용 반도체 기술정보 시스템을 구축, 대우전자의 실리콘 게르마늄 반도체 설계정보를 단말기 및 이동통신 시스템 업체에 제공해 이동통신용 주문형 반도체 개발을 유도할 계획이다.
이동통신용 단말기 시장의 급속한 성장으로 고주파용 반도체 시장도 빠르게 성장하고 있는데 현재 1GHz 이상의 이동통신용 고주파 반도체는 전량 수입에 의존하고 있어 대체 반도체 개발성공으로 연간 1조원 이상의 수입대체 효과를 거둘 수 있을 것이라고 회사는 설명했다.
65GHz급 이상의 고주파 반도체의 개발 성공은 미국 IBM에 이어 대우전자가 두번째로 이 반도체의 응용분야는 위성 위치 확인 시스템(GPS), 자동항법시스템(CNS),광대역 무선 가입자망(B-WLL), 지능형 교통 시스템(ITS) 등으로 수출전망도 밝다고 회사는 설명했다.
