64메가비트 P램 삼성전자 첫 개발

삼성전자는 세계 최초로 64메가비트(Mb)급 P램(Phase Change RAM.상변화 메모리) 기술과 시제품 개발에 성공했다고 19일 밝혔다. P램이란 '게르마늄 안티몬 텔룰라이드'라는 신물질을 이용해 만든 반도체로, D램과 플래시메모리를 이을 차세대 메모리 반도체의 하나다. D램은 속도는 빠르지만 전원이 꺼졌을 때 자료가 없어지는 단점이 있고, 플래시메모리는 자료는 보존되나 속도가 느린 단점이 있지만 P램은 이를 모두 극복할 신제품으로 평가받고 있다.

삼성전자 반도체연구소 김기남 전무는 "이번 64Mb P램은 지금까지 소개된 차세대 메모리 중 최대 용량"이라면서 "고(高)집적화에 어려움을 겪어 왔던 차세대 메모리의 한계를 극복했다"고 설명했다.

또 이번 제품은 기존 설비로 생산할 수 있고, 제조공정도 기존 메모리 반도체보다 단순해 원가경쟁력을 갖추고 있다고 삼성전자는 강조했다.

이현상 기자