하이닉스가 회로폭 40나노급 초미세 공정에서 DDR3 D램을 생산하는 기술을 처음 개발했다. 최근 DDR2 D램 개발로 첫 40나노 반도체 시대를 연 삼성전자에 이어 하이닉스도 이 대열에 합류했다. 다른 나라 경쟁업체와의 기술 격차는 2~3년으로 벌어졌다.
하이닉스가 8일 공개한 40나노 제품은 1기가비트(Gb) 용량의 DDR3 D램으로 3분기 양산에 들어간다. 지난해 처음 시장에 등장한 DDR3는 DDR2보다 동작 속도가 빨라 내년 상반기엔 D램 분야의 주력 제품으로 떠오를 전망이다. 삼성전자도 40나노 DDR2 기술을 활용해 3분기에 2Gb 용량의 40나노 DDR3를 생산할 예정이다.
반도체 산업에서 미세 공정 기술은 경쟁력의 근원이다. 국내 업체의 40나노 D램 생산성은 기존 50나노보다 50~60% 높다. 더구나 현재 50나노 공정을 운영하는 업체도 삼성전자·하이닉스뿐이다. 하반기에 40나노 공정까지 가동하면 60~70나노 공정에 머물고 있는 외국 업체와의 격차가 더 벌어진다.
국내 반도체 업체들은 자금면에서도 상황이 낫다는 평가다. 삼성전자는 반도체에서 지난해 4분기 적자로 돌아섰지만 영업손실률이 14%에 그쳤고, 연간으로는 흑자를 지켰다. 지난해 1조9000억원의 영업손실을 본 하이닉스는 최근 차입과 유상증자로 8240억원을 마련한 데 이어 장비 매각 등으로 1조원을 추가로 확보할 계획이다. 반면 세계 5위 독일 키몬다는 지난달 파산을 신청했다. 3위 일본 엘피다는 지난해 4분기 영업손실률이 93.7%에 달해 정부에 500억 엔(7000억원)의 공적자금 요청을 검토 중이다. 대만도 자국의 D램 업체를 지원하기 위해 정부가 700억 대만달러(약 2조8000억원)의 자금을 마련했다.
김창우 기자
