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‘올해의 강대원상’ 정덕균 서울대 교수, 안진호 한양대 교수

중앙일보

입력

정덕균(왼쪽) 서울대 교수, 안진호 한양대 교수.

정덕균(왼쪽) 서울대 교수, 안진호 한양대 교수.

정덕균 서울대 전기전정보공학부 명예교수와 안진호 한양대 신소재공학부 교수 겸 한양대 연구부총장이 ‘강대원상(賞)’을 수상했다. 강대원상은 반도체 기술 발전에 신기원을 이룩한 고(故) 강대원 박사를 기리기 위해 제정한 상이다.

한국반도체학술대회 상임운영위원회는 25일 7회 강대원상 수상자로 회로·시스템분야에 정덕균 명예교수를, 소자·공정분야에 안진호 교수를 선정했다고 밝혔다.

정 명예교수는 고속 디지털 회로 설계 분야의 선도 연구자다. 고화질의 화상을 손상 없이 디지털로 전송할 수 있는 원천기술을 개발하고, 디지털 비주얼 인터페이스(DVI)와 고선명 멀티미디어 인터페이스(HDMI)에 적용해 세계적인 산업 표준으로 인정받았다. 앞서 미국 실리콘밸리에서 벤처기업 ‘실리콘이미지’를 공동창업 후 나스닥 상장했고, 반도체 인력 양성에도 힘썼다.

안 교수는 1992년부터 일본 NEC연구소에서 차세대 노광기술 연구를 시작했으며, 1998년 한양대 극자외선 노광기술개발 사업단을 설립해 연구개발을 주도했다. 국내 유일의 극자외선 리소그래피(EUVL) 관련 연구 인프라를 구축하고, 2019년 국내에서 세계 최초로 극자외선 노광기술이 양산에 적용될 수 있는 토대를 마련했다. 현재는 국가 지정 연구 협의체인 극자외선 노광기술 산학협력센터(EUV-IUCC)를 운영하면서 관련 기업 30여곳을 지원하고 있으며 나노기술 연구협의회 회장도 맡고 있다.

한국반도체학술대회 상임위원회는 세계적인 반도체 연구자인 고(故) 강대원 박사의 업적을 재조명하기 위해 2017년 상을 처음 제정했다. 강 박사는 미국 벨연구소에 입사해 1960년 이집트 출신 아탈라 박사와 트랜지스터 모스펫(MOS-FET)을 개발, 현대 반도체 기술의 핵심 토대를 마련했다. 또 플래시메모리 근간인 플로팅게이트를 세계 최초로 개발하기도 했다. 강대원상시상식은 25일 오후 한국반도체산업협회와 한국반도체연구조합·포스텍이 경북 경주시에서 개최한 제 31회 한국반도체학술대회 개막식에서 진행됐다. 이번 학술대회에는 삼성전자·SK하이닉스 등 기업인, 산학연 전문가, 학생 3000여명 모였으며 역대 최대 규모인 1348편의 논문이 발표됐다.

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