삼성전자는 세계에서 처음으로 80나노 기술을 적용한 512메가비트(Mb) DDR2 D램 양산에 들어갔다고 13일 밝혔다. 1나노m는 10억분의 1m로 성인 머리카락 10만분의1 수준이다. 2004년 9월 첫 90나노 D램 양산을 시작한 삼성전자는 이번 80나노 D램 양산으로 최첨단 나노 기술을 계속 주도하게 됐다. 삼성전자 관계자는 "종전 90나노 공정보다 생산성이 50% 이상 올라가 시장 주력으로 떠오르는 DDR2는 물론 차세대 DDR3 에서도 기선을 잡게 됐다"고 설명했다. 회로폭을 줄일 수록 전기를 덜 먹고 집적도가 높아져 같은 크기로도 더 큰 용량의 제품을 만들 수 있다. 삼성전자는 80나노 공정을 512Mb 제품에 우선 적용하고 빠른 시일 안에 다른 D램 제품군으로 확대 적용할 방침이다. 또 지난해 개발한 70나노 D램 공정 기술도 올 하반기 중 양산에 적용하기로 했다.
하이닉스반도체도 80나노 공정기술이 적용된 DDR2 D램에 대해 미 인텔사에서 인증을 받고 2분기 중 양산에 들어간다고 이날 발표했다.
김창우 기자
