삼성전자, 40나노 D램 세계 첫 양산

삼성전자는 세계에서 처음으로 회로 폭 40나노(1나노는 10억분의 1m) 공정으로 차세대 메모리인 2기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발해 이달 말 양산한다고 21일 밝혔다. 이렇게 되면 지난해 9월 세계 최초로 양산을 시작한 50나노급 제품보다 생산성이 60% 정도 높아진다. 회로 폭이 50나노에서 40나노로 줄어든다는 것은 같은 웨이퍼(300㎜) 위에서 더 많은 D램을 만들어 생산성과 가격경쟁력이 높아짐을 의미한다.

개발부터 양산까지 1년6개월 정도 걸리던 준비 기간도 대폭 줄였다. 이 회사는 1월 40나노급 D램을 개발한 지 6개월 만에 양산 체제에 돌입했다. 60나노 수준에 머문 미국 마이크론테크놀로지 등 경쟁사들과 기술 격차를 더욱 벌렸다는 평가다. 국내 하이닉스반도체 정도만 40나노급 D램 기술을 갖추고 있다. 하이닉스는 3분기 중 1Gb DDR3를, 4분기에 2Gb DDR3를 양산할 계획이다.

삼성전자의 40나노급 2Gb DDR3 D램은 1.35V 동작 전압에서도 기존 1.5V 제품보다 20% 정도 빠른 1.6Gbps(초당 1600메가비트)의 데이터 처리 속도를 구현할 수 있다. 전력 소모가 적어 친환경적이기도 하다.

심재우 기자