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삼성과 4.4%P 격차…SK하이닉스, D램 점유율 사상 최고

중앙일보

입력

업데이트

경기도 이천 SK하이닉스 반도체 공장. SK하이닉스

경기도 이천 SK하이닉스 반도체 공장. SK하이닉스

SK하이닉스가 인공지능(AI) 관련 수요 증가와 맞물린 고대역폭 메모리(HBM) 등 프리미엄 메모리 반도체 제품군에서의 약진에 힘입어 D램 시장 세계 1위 삼성전자와 격차를 5%포인트 이내로 좁혔다. 업계에서는 고부가 D램 제품 시장에서 양사의 정면 승부가 본격화할 것으로 본다.

26일 시장조사업체 옴디아에 따르면 SK하이닉스의 올해 3분기 D램 매출은 3분기 46억3000만 달러(약 6조500억원)로 전 분기와 비교해 34.59% 늘었다. 같은 시기 삼성전자의 D램 매출은 52억 달러(약 6조8000억원)로 17% 증가했다.

정근영 디자이너

정근영 디자이너

SK하이닉스는 지난 1분기 D램 시장점유율이 24.7%로 미국 마이크론(27.2%)에도 뒤지며 3위로 내려앉았으나, 2분기 31(2위 회복)→3분기 35%로 늘어나며 역대 최대치를 기록했다. 같은 기간 삼성전자의 점유율은 42.8→40→39.4%(3분기)로 소폭 하락했다. 양사의 점유율 격차는 4.4%포인트로 역대 최저 수준으로 좁혀졌다.

올해 3분기 글로벌 D램 시장 총매출은 직전 분기 대비 19.2% 증가한 132억4000만 달러로 잠정 집계됐다. 올해 1분기 93억7000만 달러로 바닥을 찍은 뒤 2개 분기 연속 상승세다. 옴디아는 “내년 글로벌 D램 시장 총매출은 올해 대비 30% 가까이 성장할 것”이라 전망했다.

SK하이닉스가 올해 공개한 LPDDR5T. 사진 SK하이닉스.

SK하이닉스가 올해 공개한 LPDDR5T. 사진 SK하이닉스.

SK하이닉스는 최근 급부상 중인 HBM·LPDDR 등 프리미엄 메모리 제품군에서 ‘메모리 절대 강자’ 삼성에 도전 중이다. SK하이닉스는 현존 최고 사양인 5세대 HBM3E 개발에 세계 최초로 성공한 데 이어 글로벌 고객사들과 차세대 HBM4 규격 개발에 나서는 등 주도권을 놓치지 않겠다는 의지를 드러냈다.

특히 최근 차세대 모바일용 D램인 LPDDR5T(저전력 DDR5 터보) 패키지를 업계 최초로 출시해 퀄컴 등 주요 고객사와 공급 협의에 나서는 등 고부가 D램 시장 곳곳에서 삼성을 흔드는 모양새다. 이런 실적에 힘입어 지난 3분기에는 D램 사업부문에서 삼성전자보다 먼저 흑자 전환에 성공했다.

경기도 화성 삼성전자 화성캠퍼스 전경. 사진 삼성전자

경기도 화성 삼성전자 화성캠퍼스 전경. 사진 삼성전자

삼성전자 역시 메모리 반도체의 시장 패러다임 변화에 발맞춰 수성 전략에 나선다. 삼성전자는 최근 홍콩에서 진행한 투자자포럼에서 차량용 LPDDR5X 등 메모리 신제품 출시를 예고했다. 한정된 공간에서 최대한의 전력 효율을 필요로 하는 자동차 업계의 수요를 반영해 기존 LPDDR5X의 크기를 줄였다.

대역폭을 높여 일반 D램보다 전력 효율을 70% 이상 개선한 특수 D램인 저지연 와이드(LLW) 제품도 내년부터 본격적으로 양산한다. 메모리사업부와 파운드리(반도체 위탁생산)를 동시에 보유한 세계 유일의 반도체 업체임을 내세워 첨단 패키징 서비스까지 고객사에 함께 제공한다는 방침이다.

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