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[R&D 경영] 10나노급 D램 양산 통해 수익성·기술력 확보

중앙일보

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05면

SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 글로벌 시장을 선도한다는 방침 아래 지난해 6조2920억원에 이어 올해 사상 최대인 7조원 수준의 투자를 계획하고 있다. 연구개발비 역시 지난해 사상 처음으로 2조원을 넘겨 2조967억원을 집행했다. [사진 SK하이닉스]

SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 글로벌 시장을 선도한다는 방침 아래 지난해 6조2920억원에 이어 올해 사상 최대인 7조원 수준의 투자를 계획하고 있다. 연구개발비 역시 지난해 사상 처음으로 2조원을 넘겨 2조967억원을 집행했다. [사진 SK하이닉스]

정보통신기술의 고도화로 메모리반도체 수요가 증가하고 있다. 과거 반도체산업은 생산능력 확대와 생산원가 절감이 핵심 경쟁요소였지만 공정 미세화에 따른 기술 개발 난이도 증가와 투자 규모 확대, 투자 대비 수익의 불확실성 증대 등으로 사업환경이 변했다.

SK하이닉스

이에 SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 글로벌 시장을 선도한다는 방침이다. D램은 10나노급 제품을 하반기에 양산할 계획이다. 이를 통해 D램 사업의 수익성을 극대화하고 모바일 및 서버 D램 분야의 기술 리더십을 강화한다.

지난 1월에는 세계 최대 용량의 초저전력 모바일 D램인 LPDDR4X를 출시했으며, 4월에는 세계 최고 속도의 GDDR6(Graphics DDR6) 그래픽 D램을 개발했다. 향후 인공지능(AI)·가상현실(VR)·자율주행차와 4K 이상의 고화질 디스플레이 지원 등 차세대 성장 산업에서 필수적인 메모리 솔루션으로 활용될 전망이다.

낸드플래시는 공정을 더욱 미세화한 14나노 제품 비중을 확대한다. 또 3D 낸드플래시 기술경쟁력을 높이고 UFS 등 차세대 모바일 솔루션 제품 기반을 강화한다. 지난 1분기에 72단 3D낸드플래시 개발에 성공해 7월부터 양산에 돌입했다. SK하이닉스 최초 자체 개발한 컨트롤러를 탑재한 모바일용 eMMC 제품과 시장의 주력으로 성장하는 PCIe향 SSD 제품을 출시하며 고성능·고신뢰성·저전력을 구현해 3D 낸드 기반 솔루션 사업 경쟁력을 한층 강화했다. 또 컨트롤러 개발 역량을 확보하기 위해 2012년 미국 LAMD 및 이탈리아 아이디어플래시, 2013년 대만 이노스터 컨트롤러 사업부, 2014년 벨라루스 소프텍 등을 인수했다. 국내에서는 2012년 분당에 플래시 솔루션 디자인 센터, 2013년 KAIST에 스토리지 미디어 솔루션스 센터 등을 설립했다

SK하이닉스는 지난해 6조2920억원의 투자를 집행한 데 이어 올해는 7조원 수준의 투자를 계획하고 있다. 2019년 6월까지 2조2000억원을 투자, 청주에 최첨단 반도체공장을 건설할 예정이다. 연구개발비는 지난해 매출액 대비 12.2%에 달하는 2조967억원을 집행했다.

김승수 객원기자 kim.seungsoo@joongang.co.kr

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