삼성전자, 7배 빠른 D램 양산

초고속 D램으로 삼성전자의 반도체 기술이 한 단계 더 진화했다. 삼성전자는 현재 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 ‘4기가바이트(GB) 2세대 고대역폭 메모리(HBM2) D램’을 본격 양산한다고 19일 발표했다.

　D램은 컴퓨터의 두뇌 역할을 하는 CPU가 연산작업을 할 때 데이터를 쓰고 지우는 것을 돕는 장치다. D램의 데이터 처리 속도가 빨라질수록 컴퓨터의 성능도 그만큼 향상된다.

삼성전자는 이번 4GB HBM2 양산을 통해 초고성능 컴퓨팅(HPC), 고사양 그래픽 카드 등 차세대 정보기술(IT) 기기 수요에 대응하겠다는 전략이다.

　삼성전자에 따르면 이번 제품에는 D램칩에 구멍 5000개 이상을 뚫고 상하를 연결하는 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 적용했다. 기존 금선을 이용해 위아래를 연결하는 방식보다 데이터 통로가 많아 처리속도를 높일 수 있다. 4GB HBM D램은 초당 256GB의 정보를 전송, 같은 4GB급 GDDR5보다 7배 이상 많은 정보를 처리한다.

손해용 기자 sohn.yong@joongang.co.kr