삼성, 미국 반도체 공장 증설

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 텍사스주 오스틴에 있는 '삼성 반도체 생산단지'에서 반도체 생산 라인 증설 준공식을 했다. 새 시설은 모바일 기기를 중심으로 수요가 확대되는 낸드 플래시 메모리를 생산한다. 세계 최대 정보통신 시장인 미주에 제품을 좀 더 적기에 공급하는 기반이 될 것으로 회사 측은 기대했다.

이번에 준공한 오스틴 공장 제2 라인은 1997년 이곳에서 가동한 200㎜ 웨이퍼 D램 생산라인의 후속 시설로, 300㎜ 전용으로 건설됐다. 연말께 가동을 시작해 50나노 16기가 낸드 플래시를 양산할 계획이다. 생산 규모는 초기 월 2만 장에서 점차 늘려 나갈 방침이다. 삼성전자는 내년까지 일부 증설작업이 이어질 제2 라인에 대한 투자 규모를 총 35억 달러(약 3조2500억원)로 잡아 놨다. 삼성전자는 제1 라인은 D램에 주력하고, 제2 라인은 50나노급 이하의 낸드 플래시 등 차세대 메모리 위주로 운영할 계획이다.

이날 준공식에는 윤종용 삼성전자 부회장과 황창규 반도체 총괄 사장, 릭 페리 텍사스 주지사, 윌 윈 오스틴 시장 등이 참석했다.

윤 부회장은 기념사에서 "제2 라인 건설로 최첨단 메모리 제품의 안정적인 현지 공급기지를 확보해 거래처와의 신뢰 구축을 더 원활히 할 수 있게 됐다"고 말했다.

삼성전자의 세계 최대 반도체 생산 기지인 경기도 기흥.화성 단지는 최첨단 반도체 생산과 연구개발(R&D)에 주력하고, 미 오스틴 단지는 미주 공략을 위한 전략적 생산거점으로 활용하며 중국 쑤저우(蘇州) 단지는 조립과 패키지 기지로 집중 육성해 글로벌 분업 체제를 더욱 강화할 계획이다.

박현영 기자