SK하이닉스는 모바일 D램 비중을 30% 이상으로 유지하는 한편 서버용 D램 경쟁력도 강화하고 있다. 이천공장에서 임직원들이 반도체 제조 과정을 살펴보고 있다. [사진 SK하이닉스]
최근 반도체산업의 경쟁구도가 재편되는 등 불확실성이 커지고 있는 가운데 SK하이닉스는 메모리반도체 분야 선도 업체의 위상을 지키며 성장의 발판을 공고히 하기 위해 투자를 강화하고 있다.
SK하이닉스
2012년 SK그룹 편입 당시 SK하이닉스는 투자를 전년비 10% 늘린 3조8500억 원을 집행했고 2014년에는 5조 원 이상, 2015년에는 6조 원 이상을 투자했다. 특히 2011년 8000억 원 수준이던 R&D투자를 2015년에 1조7000억원 수준으로 확대했다. 올해는 메모리 수요 둔화 등 시장환경이 어려울 것으로 예상됨에도 미래 성장동력 확보를 위해 6조 원대의 투자를 집행할 방침이다.
모바일 시장 확대에 발맞춰 2012년 이후 모바일 D램 비중을 30% 이상으로 확대·유지하고 있다. 특히 2013년 말 차세대 모바일 D램 규격인 LPDDR4 제품 개발에 이어 지난해 8Gb(기가비트)의 LPDDR4 제품을 스마트폰에 탑재해 상용화하는 등 모바일 제품 경쟁력을 강화하고 있다.
서버용 D램 경쟁력도 강화하고 있다. 2014년 20나노급 8Gb DDR4 기반으로 세계 최대 용량인 128GB(기가바이트) DDR4모듈을 개발하고 20나노급 4Gb DDR4 기반으로 서버용 비휘발성 메모리 모듈인 NVDIMM 기준 최대 용량인 16GB제품을 개발했다.
SK하이닉스는 벨라루스 소프텍 등 해외 업체들의 인수합병을 바탕으로 모바일 및 서버 기기 등에 쓰이는 eMCP·eMMC ·UFS·SSD 등 응용복합제품을 개발·양산하고 있다. 또 솔루션 제품 성능 고도화를 위해 여기에 탑재될 낸드플래시 단품 중 최신 미세공정이 적용된 14나노 낸드플래시 제품을 개발해 양산하는 단계에 있다. 3D 낸드도 2세대(36단) 제품 양산에 이어 3세대(48단) 제품 개발에 박차를 가하고 있다.
지난해에는 세계 최대 생산시설 M14를 준공했다. 또 최신 미세공정 기술이 적용된 20나노 초반급 D램 제품의 생산 비중을 확대 해 수익성을 강화하고 있다. 낸드플래시 분야에선 3세대(48단) 제품 및 4세대(72단) 제품 개발에 박차를 가하고 있다.
김승수 객원기자 kim.seungsoo@joongang.co.kr
