현대전자, 반도체 신공정 기술 개발

현대전자는 차세대 메모리 반도체 소자 제조의 핵심 기술중 탄탈륨 질산화(TaON) 막을 이용한 공정 기술을 최초로 개발했다고 25일밝혔다.

탄탈륨 질산화 막 제조 공정 기술은 256메가 D램 이상의 차세대 메모리 제품 양산때 0.18 미크론(100만분의 1ｍ) 이상의 미세한 회로선폭을 적용하는 데 필요한 핵심 기술이라고 현대는 말했다.

현대는 탄탈륨 질산화 막이 현재 세계 유수 업체들이 이용하고 있는 기존의 탄탈륨 산화 막보다 전기적 특성이 우수해 공정 단계를 30% 이상 줄여 제조 비용을 40%이상 절감할 수 있다고 설명했다.

현대는 탄탈륨 질산화 막을 이용, 0.15 미크론 이하의 미세한 회로 공정으로 제조되는 256메가 D램 또는 1기가 D램 제품의 생산성 향상에 획기적인 전기를 마련할 것으로 기대하고 있다.

이번 공정 기술은 국내 반도체 장비업체인 주성 엔지니어링㈜과 공동으로 국산화에 성공함으로써 최소 5천만달러 이상의 생산시설 투자 비용을 절감할 수 있게 됐고 양산시 공동 개발에 따른 막대한 이익을 얻을 것으로 현대는 보고 있다.