日히타치.미쓰비시-美TI 1GD램 반도체 공동 개발

[도쿄=김국진 특파원]일본의 히타치와 미쓰비시전기,미국의 텍사스 인스트루먼트(TI)는 오는 2000년께 실용화될 대용량 반도체 메모리인 1기가(G;10억)비트 D램을 공동개발하기로 합의했다고 니혼게이자이(日本經濟)신문이 4일 보도했 다. 이들 3사는 현재 개별적으로 추진하고 있는 1G D램 개발을역할별로 분담하고 개발후의 특허는 공유한다는 방침이다. 1천억엔(약7천2백억원)이상에 달하는 개발비는 똑같이 분담,사업추진에 따른 리스크를 줄인다는 계획이며 99년께 제품화를 목표로 하고 있다.