주성엔지니어 반도체소자 제조 특허취득

주성엔지니어링은 22일 반도체 소자 제조에서 종래유전막으로 이용된 실리콘질화막과 실리콘 산화막의 복합층 또는 탄탄륨산화막을 높은 유전율과 열안정성을 갖는 탄탈륨질화산화막으로 대체함으로써 산소공급에 의한누설절류를 감소, 정전용량을 증대할 수 있고 진공 또는 저산소 분위기를 통해 이동시킴으로써 기판 오염을 방지할 수 있는 반도체소자 제조방법 특허를 취득했다고 공시했다. (서울=연합뉴스) 김종현기윽