256메가級이상 超고집적반도체用 차세대 이온주입기 국산화

2백56메가D램 이상의 초고집적(超高集積)반도체 제조에 사용되는 차세대 이온주입기가 국내에서 개발돼 연간 7천5백만달러(약5백70억원)이상의 수입대체효과를 얻을수 있게 됐다.
한국원자력연구소의 최병호(崔炳虎)박사팀은 삼성전자와 공동으로93년12월부터 4억원의 연구비를 들여 최근 이같은 장비를 개발했다고 밝혔다.
이온주입기란 반도체 소자(素子)제조시 집적회로(IC)의 전도성(傳導性)을 높이기 위해 붕소.인 또는 비소이온을 이온원(源)으로 만들어 전기장(電氣場)으로 가속,웨이퍼에 쪼이는 장치로대당 수입가는 1백50만~2백만달러 정도.
그러나 이번에 개발된 이온주입기는 이 원소외에도 활성이 강한산소.질소이온과 금속이온도 다량 생성해 高에너지로 주입할 수 있는 장비로 초고집적의 12인치 이상 대형 웨이퍼에 이용할 수있는 것이 특징이다.
기존 이온주입기가 대략 1백k전자V의 에너지로 고집적 반도체에 이용될 수 없었으나 이 전자주입기는 1백80~2백k전자V의에너지로 2백56메가D램 이상의 초고집적 반도체 제조에 이용되는 것이 특징.
특히 이 장비는 高 에너지의 산소이온을 주입함으로써 차세대 반도체 기술로 대두되고 있는 층간(層間)절연격리에 의한 반도체제조기술(SOI)의 실현을 앞당기게 됐다는것.
SOI는 기존의 단층구조로 돼있는 반도체 칩과는 달리 여러층의 구조로 층과 층 사이에 산소이온을 주입,절연체를 만들어준다. 李起俊기자