하이닉스 60나노 D램 생산기술 개발

하이닉스반도체가 60나노미터(nm.10억분의 1m)급 D램 생산 기술을 개발해 미세공정에서 삼성전자와의 격차를 좁히게 됐다.

하이닉스는 경기도 이천공장에서 66나노 회로공정을 적용한 1기가비트(Gb) D램의 시험 생산을 시작했다고 4일 밝혔다. 66나노 공정으로 메모리 칩을 만들면 현재 이 회사가 양산에 쓰고 있는 80나노 공정에 비해 웨이퍼당 생산량을 50% 정도 늘릴 수 있다. 회로 폭이 줄어 더 작은 크기로 칩을 만들 수 있기 때문이다. 이에 따라 생산원가를 30% 이상 절감할 수 있다. 하이닉스 관계자는 "삼성전자와의 기술 격차를 1년 이내로 줄였다"며 "내년 안에 양산 기술을 확보할 수 있을 것"이라고 말했다.

현재 70나노 공정에서 D램을 양산하고 있는 삼성전자는 이미 60나노 공정의 개발을 마쳐 이르면 내년부터 60나노 제품의 양산에 들어갈 것으로 알려졌다.

김창우 기자