빠르고 전력 덜드는 트랜지스터를 개발

현재 사용되고있는 트랜지스터에 비해 훨씬 빠른속도로 동작하는 초고속 저전력소비의 트랜지스터가 한국전자통신기술연구소 반도체연구개발팀에 의해 개발됐다.
이 개발팀은 지금까지 주로 사용돼왔던 방법과는 달리 산화막에 의한 소자격리법및 다결정실리콘층에 의한 에미터 베이스자동형성법 등을 이용, 고속반도체집적회로 (IC)에 응용될 새로운 구조를 갖는 실리콘 바이폴라(쌍극) 트랜지스터를 개발했다고 4일발표했다.
이 초고속트랜지스터는 현재 최첨단컴퓨터라고 불리는슈퍼컴퓨터의 연산회로와 고속응답기억회로나 우주통신광통신에 쓰이는 고속신호처리회로등 여러부문에 사용될수 있어 수요가 많아 앞으로 국내전자산업에 미치는 파급효과가 클것으로 보고있다. 이 트랜지스터는 51피코초(1피코초는 1조분의1초)의 작동속도를 가져 전자회로가1초에 50억개 정도의 신호를 주고 받을수 있다.
이 정도의 속도를 갖는 초고속 바이폴라 트랜지스터는 미국·일본에 이은 세번째 개발이다.